由于低壓差分信號傳輸（LVDS）技術(shù)在傳輸速度，抗電磁干擾和功耗方面具有明顯的優(yōu)勢，因此在航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。國。
　　了確保信號傳輸?shù)耐胶碗姶偶嫒菪裕琇VDS電纜中每條信號線的長度很小，嚴(yán)格要求屏蔽間隔。文介紹了如何在處理LVDS電纜時(shí)嚴(yán)格控制信號線的長度并增強(qiáng)屏蔽處理，以及控制電線選擇，電纜特定處理等，以確保LVDS電纜符合性能要求。鍵詞：LVDS; EMC; GBL數(shù)據(jù)線;保護(hù)層簡介低壓差分信號傳輸技術(shù)被稱為低壓差分信號（LVDS）技術(shù)，這是一種低擺幅差分信號技術(shù)[1]。允許在差分對印刷電路或平衡電纜上傳輸信號，理論最大傳輸速率為3 Gbps。型的LVDS信號振蕩為350 mV，相應(yīng)的功耗非常低[2]。此，LVDS是一種非常有效的接口技術(shù)。類似的信號傳輸技術(shù)相比，LVDS技術(shù)在傳輸速率，電磁干擾和功耗方面具有明顯的優(yōu)勢。傳輸速率方面，LVDS技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)點(diǎn)和點(diǎn)之間800 Mbps的傳輸速率，以及多點(diǎn)互連之間高達(dá)400 Mbps的傳輸速率[3]。于電磁干擾，由于LVDS技術(shù)使用兩根線進(jìn)行信號傳輸，兩條信號線周圍的電磁場相互抵消，因此比傳輸?shù)碾姶艌鲂〉枚?。號在一條線上。功耗方面，由于LVDS技術(shù)由恒流源模式驅(qū)動且電壓信號的幅度較低，因此在傳輸過程中僅消耗非常小的功率并且功耗為幾乎不變的頻率。
　　外，由于LVDS技術(shù)以差分方式傳輸數(shù)據(jù)，因此對噪聲不敏感。著信息技術(shù)尤其是通信技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)的數(shù)據(jù)傳輸方法由于速度低，速度低，越來越不能滿足技術(shù)應(yīng)用的需求。擾和支持遠(yuǎn)距離數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦щy。于LVDS技術(shù)有效地解決了這一瓶頸，因此被廣泛使用。
　　LVDS電纜處理?xiàng)l件為了減少同一電纜中的信號傳輸延遲并提高同步傳輸性能，同一LVDS電纜中每條信號線的長度必須基本相同，長度差異不超過20毫米。如，下圖所示的電纜要求19條信號線中最長信號線和最短信號線的長度不超過20mm。處理過程中，必須通過在電纜捆扎期間引入的長度差異以及由電纜的待焊接端部的位置引起的長度差來克服這種差異。此，有必要在特定處理過程中定義合理的電纜切割長度，以確保電線長度公差并滿足所需的電纜長度余量，以消除安裝應(yīng)力。了保證電纜的EMC（抗干擾）性能，必須盡可能地減少每條數(shù)據(jù)線上的屏蔽間隙。此，在處理電纜時(shí)，每條信號線上的非屏蔽部分應(yīng)盡可能短。需要克服由釬焊操作引起的數(shù)據(jù)線屏蔽的剝離長度的剛性要求并有效地屏蔽每條數(shù)據(jù)線。LVDS電纜數(shù)據(jù)線的選擇是為了確保無縫LVDS電纜的發(fā)展中電纜的初始設(shè)計(jì)階段，這取決于先前發(fā)展的經(jīng)驗(yàn)，數(shù)據(jù)線GBL通過GORE或產(chǎn)生瑞麒生產(chǎn)的屏蔽雙絞線用作LVDS。纜數(shù)據(jù)線。GBORE平衡對稱雙絞屏蔽線由于其出色的信號傳輸性能，被廣泛用于LVDS接口之間的信號傳輸。GBL線由絕緣層，屏蔽層，繞組線，導(dǎo)體和負(fù)載組成。普通的雙絞屏蔽線相比，GBL線的最大特點(diǎn)是在結(jié)構(gòu)中采用屏蔽內(nèi)部處理，即排擾線是連接到線層的裸線。蔽。組裝數(shù)據(jù)線（將每個(gè)GBL線的導(dǎo)體焊接到電連接器）時(shí)，每條數(shù)據(jù)線的排擾線焊接到電連接器的觸點(diǎn)以屏蔽單個(gè)單元內(nèi)。據(jù)線的屏蔽層彼此隔離，不需要屏蔽測量。
　　于其特殊的結(jié)構(gòu)，GBL系列在選擇時(shí)具有一定的局限性。GBL-120-26數(shù)據(jù)線為例，其特征阻抗為120？并且導(dǎo)體直徑為26＃，整個(gè)數(shù)據(jù)線的直徑為4 mm。很硬并且安裝電連接器會帶來一些困難。外，GBL線的兩個(gè)導(dǎo)體的所述絕緣層是柔軟并且，常規(guī)的LVDS電纜的發(fā)展過程中，在GBL線鎧裝層的金屬絲貫穿導(dǎo)體的絕緣層并且與芯線接觸司機(jī)因此，通常，必須在電連接器殼體外部處理GBL線的屏蔽。圖1的電纜中使用的電連接器J14A-101TK為例，接觸元件的端部與連接器的后蓋的后端之間的距離約為25mm。果GBL線的屏蔽層在連接器外殼外部進(jìn)行處理，則GBL線的端罩層的剝離長度必須為30mm或更大，并且難以保證EMC性能。纜。于加工難度，實(shí)際需求和其他因素，決定使用Raychem生產(chǎn)的26＃雙絞屏蔽線（55 / 1322-26-9 / 96-9）作為LVDS電纜數(shù)據(jù)線。LVDS電纜處理保證為確保數(shù)據(jù)傳輸時(shí)序和EMC性能，必須嚴(yán)格控制每條數(shù)據(jù)線的長度偏差和非屏蔽LVDS電纜部分的長度。此，在LVDS電纜加工之初，技術(shù)人員已經(jīng)建立了嚴(yán)格的工藝保證措施。度偏差保證測量以圖1所示電纜為例。據(jù)設(shè)計(jì)要求，兩個(gè)電連接器后端之間的電纜長度為2200 mm，電纜中每條數(shù)據(jù)線的長度偏差不超過20毫米。了確保最終長度差距符合要求，制定了過程保證措施的以下三個(gè)方面。

　　先，必須嚴(yán)格控制每條數(shù)據(jù)線的刪除長度。于J14A-101TK / TJ電連接器焊接杯的根部距后蓋后端約30 mm，因此數(shù)據(jù)中心電線和焊杯的覆蓋長度為約3毫米。據(jù)線的長度公差在 10mm之間，并且在數(shù)據(jù)線的兩端存在接縫余量。刪除19行數(shù)據(jù)之后，仔細(xì)梳理它們并且不再允許線程的扭曲。次，在釬焊過程中必須嚴(yán)格控制絕緣層的剝離長度。焊接之前，將19條數(shù)據(jù)線的絕緣層全部剝離。絕緣層的剝離長度在12mm和15mm之間，內(nèi)絕緣層的剝離長度在5mm和6mm之間。焊接過程中，除了重新焊接外，線端絕緣層不能分離，每根線最多可焊接一次。樣，嚴(yán)格控制電纜后焊接端的長度誤差。旦焊接電纜的電連接器的末端，就安裝后蓋。個(gè)線束展開并水平放置在工作臺上，每條數(shù)據(jù)線都被拉直，并且使用卷尺（從電連接器后蓋的背面測量）測量其長度。）。剪刀剪斷數(shù)據(jù)線的未密封端。電連接器后端到數(shù)據(jù)線未密封端的長度為2240 mm。蔽保證措施包括最小化每條數(shù)據(jù)線上的屏蔽空間，礦用電纜并且技術(shù)人員已經(jīng)改進(jìn)了處理電線屏蔽層的方法。電纜處理過程中，我單位的傳統(tǒng)電線屏蔽處理方法如下：（1）每根電線的屏蔽分散，然后分成兩部分。（2）扭轉(zhuǎn)相鄰電線的屏蔽并將雙手握在一起。（3）斷開接地線。裝好接頭時(shí)，將其安裝在接頭外殼上。

　　
　　方法在處理普通低頻電纜時(shí)簡單易用。是，由于需要手動擰緊屏蔽層，因此必須將其拆卸超過20 mm，也就是說電線的焊接端具有至少20 mm的屏蔽槽長。果以這種方式處理LVDS電纜，顯然很難保證電纜的EMC性能。研究了有關(guān)單元的屏蔽處理方法并進(jìn)行大量驗(yàn)證試驗(yàn)后，決定采用一種新的屏蔽層處理方法。方法的具體步驟如下：（1）焊接前，每根信號線的屏蔽層末端采用熱縮套管保護(hù)。0.5mm（在熱縮性套管的在屏蔽的端部的下側(cè)卷繞）（2）一旦所有焊接信號子，2-3鍍銀銅線匝繞卷繞整捆電纜。

　　時(shí)纏繞地線。（3）鍍錫銅線鍍錫在鍍銀銅線的外側(cè)，使鍍銀銅線和保護(hù)層接觸良好。（4）組裝連接器時(shí)，將地線安裝到連接器外殼上。于新的處理方法不執(zhí)行屏蔽層的拾取和扭曲操作，因此可以最小化電纜束的屏蔽間隙并且優(yōu)化LVDS電纜的EMC性能。論在LVDS電纜處理中，嚴(yán)格控制每條信號線的長度和最終處理的長度，以確保整個(gè)線束電纜中每條信號線的長度差小于20mm。

　　
　　開發(fā)新的屏蔽處理方法時(shí)，請確保每條信號線的屏蔽空間小于10 mm。此過程的保證下，經(jīng)處理的捆扎電纜滿足各種性能要求。
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