芳族聚酰胺纖條體（AF）被用作基質，而多巴胺鹽酸鹽（DA）六方氮化硼（h-BN）被用作導熱填料。AF-PDA @ h-BN通過真空輔助真空過濾制備。元紙制成的復合材料。PDA @ h-BN的結構通過X射線能譜（EDS），微拉曼激光成像光譜儀和傅里葉變換紅外光譜（FT-IR）進行了分析。過掃描電子顯微鏡（SEM）觀察PDA @ h-BN在紙基復合材料中的分布。體積電阻率測試儀和熱導率測試儀對紙基復合材料的絕緣性能和熱導率進行了表征。果表明，AD成功地修飾了h-BN：當PDA @ h-BN測定值為15％時，原紙的導熱系數(shù)從0.12 W /（m·K）增加到0， 33 W /（m·K），增幅為175％。時，紙基復合材料的體積電阻率隨PDA @ h-BN含量的增加而逐漸增加，從原紙的4.63×1013Ω·m增加到5.60×1014 Ω·m，電纜表明所制備的二元紙復合材料具有優(yōu)異的隔熱性能。
　　族聚酰胺纖維（AF）是一種高性能合成纖維，由于其高強度，高模量，重量輕和出色的絕緣性能而廣泛用于電子和其他行業(yè)[1-3] 。是，AF是一種聚合材料，網絡限制了電子的自由流動，導致導熱性差[4]，這限制了芳綸纖維產品在以下領域的后續(xù)應用。子和電器。此，為了擴大芳綸纖維及其制品的應用，有必要提高其導熱系數(shù)。前有兩種方法來制備基于聚合物的導熱材料：一種是合成固有的導熱材料，例如聚乙炔，聚苯胺等，另一種是制備基于聚合物的導熱材料。[5-7]。者由于其合成成本高，周期長和技術要求高而尚未廣泛普及。者由于易于制備且制備周期短而被廣泛使用。[8]提高了材料的導熱性。方氮化硼（h-BN）由于其類似于石墨的分層結構而被稱為白色石墨。h-BN具有出色的導熱性，其寬帶隙和低電子離域性使h-BN表現(xiàn)出高電阻率，低介電常數(shù)和介電損耗。色的隔熱性能[9-10]。h-BN可用作聚合物，橡膠，塑料等的導熱絕緣填料。備導熱絕緣界面材料，包裝材料以及輕巧，易于形成的耐腐蝕隔熱粘合劑。電子學，電子信息等領域得到了極大的應用。果，它受到了研究人員的廣泛關注[11-12]。于復合材料，研究集中在電荷的分散以及與基質的界面上。酸多巴胺（DA）具有3，4-二酚羥基結構，該結構在溫和的，潮濕的，好氧的堿性條件下進行氧化自聚合反應，從而形成一系列不同分子量的低聚物。反應產生較高分子量的聚合物。
　　時，各種共價和非共價鍵的協(xié)同作用，多巴胺和多巴胺的氧化產物以及它們的低聚物和聚合物在溶液中自發(fā)組裝，形成不同的形態(tài)結構，稱為聚多巴胺（ PDA）[13-16]。PDA具有非常強的粘合性能，可以在潮濕環(huán)境中牢固地粘附到自然界中大多數(shù)物體的表面。時，PDA還富含鄰苯二酚反應性氨基和羥基，可以與含有氨基（-NH2）和羥基（-OH）的有機聚合物反應或產生氫鍵。此，它經常用于功能化非活性表面功能電荷，以改善復合材料中電荷與基質之間的界面[17]。該實驗中，使用X能量光譜儀，激光顯微拉曼成像光譜儀和傅立葉變換紅外光譜儀（FT-IR），將DA用于修飾h-BN的表面功能。）。功改性后，將改性的h-BN和AF制備成真空輔助的基于真空過濾的紙二元復合材料，并在待沉積材料內部觀察到PDA @ h-BN?；ㄟ^掃描電子顯微鏡（SEM）。布：通過體積電阻率測試儀和熱導率測試儀表征和分析二元紙復合材料的絕緣性能和熱導率。方氮化硼粉末（h-BN）（1?2μm，純度> 99.5％），上海麥克林生化公司;鹽酸多巴胺（以下稱為多巴胺），Tris-堿，用于分析純度，阿拉丁試劑有限公司；無水乙醇，分析純，天津大姚試劑有限公司；纖維芳族聚酰胺（AF），平均長度為0.644至0.869毫米，美國杜邦。備去離子水和無水乙醇的體積比為3：1的400 ml混合溶劑，并將1.21 g三羥甲基氨基甲烷溶解在混合溶劑中。tris緩沖溶液的濃度為0.01 mol / L，pH值保持在8.5，有利于DA的氧化自聚合。后將2g BN-h添加到緩沖溶液中，并將溶液以恒定速率分散在溶液中。后，向其中添加0.8 g多巴胺，并將反應混合物在室溫下攪拌6小時，電纜然后用去離子水洗滌幾次，并在60°C下干燥。DA @ h-BN儲備中。過超聲將改性的h-BN粉末均勻地分散在水中，并與去污的AF充分混合。過真空輔助真空過濾制備的PDA @ h-BN測定分別為0.5％和10％。15％的復合紙基材料經抽濾后壓制并干燥形成的紙基復合材料，其制備方法如圖1所示。位面積重量為63.7 g / m 2，直徑為10 cm。克X射線能量光譜儀TESCAN JSM-6360LV（德國USX的US13激光顯微拉曼成像光譜儀）檢測到改性前后h-BN表面的表面分布通過捷克TESCAN JSM-6360LV掃描電子顯微鏡檢測了改性前后h-BN表面官能團的變化以及PDA @ h-BN在紙基材料中的分布，被北京北光精益公司采用。溪夏溪TC3000E電阻率測試儀和熱導率測試儀分析并表征了紙基復合材料的絕緣和熱導率。2是h-BN和PDA @ h-BN的物理照片。圖2中可以看出，變化前的h-BN為純白色，而改性后為灰黑色。3是h-BN的修飾的示意圖。圖3中可以看出，h-BN微結構是類似于石墨的六邊形片狀結構。性后，h-BN從原來的白色變?yōu)榛液谏?，因為DA是通過氧化自聚合作用生成的，形成了粘合到h-BN表面的PDA。4顯示了PDA的分子結構[18]。5是h-BN和PDA @ h-BN的EDS光譜。圖5中可以看出，由PDA修飾的h-BN的表面元素的分布已經改變。先，硼含量從改性前的48.87％降至46.63％，氮含量變化不大，碳和氧含量從7.00％降低至0，分別為72％至8.77％和1.30％。素分析的結果表明，DA已經通過氧化自聚合成功地粘附到h-BN的表面上，并且獲得了h-BN表面的官能化改性。6是h-BN和PDA @ h-BN的拉曼光譜。圖6中可以看出，h-BN和PDA @ h-BN具有接近1363cm -1的特征峰，這歸因于h-BN平面中的高頻振動Eg 2。PDA @ h-BN的特征峰在這里明顯減弱，PDA @ h-BN在1590 cm-1有一個新的吸收峰，屬于PDA結構中鄰苯二酚變形的特征峰[18]。-19。7是h-BN和PDA @ h-BN的FT-IR圖。圖7中可以看出，h-BN和PDA @ h-BN在804、1368和2517cm-1處均表現(xiàn)出特征吸收，這三個吸收峰均歸因于h的特征吸收。-BN。中，1368 cm-1和804 cm-1分別對應于-BN的拉伸和彎曲振動的特征吸收，而2517 cm-1屬于BN的最原始特征吸收[ 20。h-BN相比，PDA @ h-BN在3410 cm-1處顯示一個特征峰，這歸因于PDA結構中的酚羥基結構[21]。曼光譜和紅外光譜的結果表明，h-BN已被DA成功修飾。有添加PDA @ h-BN，僅由AF生產的紙張稱為芳綸原紙。8是芳綸紙和二元紙復合物的SEM圖像。圖8可以看出，芳綸基紙的紙張內有大量的孔。過添加PDA @ h-BN，紙張內部的孔中充滿了PDA @ h-BN顆粒，使紙張表面更光滑，紙張結構更緊密。圖8中還可以看出，由于PDA @ h-BN表面上的酚羥基和羰基形成的氫鍵，PDA @ h-BN與AF顆粒之間的鍵很窄。AF結構中的氨基。并[22-23]。9示出了芳族聚酰胺紙和二元紙復合材料的體積電阻率。圖9可以看出，基于芳族聚酰胺的紙和基于復合紙的材料具有優(yōu)異的絕緣性能，并且體積電阻率大于指定的絕緣體的體積電阻率為2至3個等級。

　　寸，表明它是基于芳綸的紙還是兩種。異紙復合材料具有用作絕緣紙的潛力。著PDA @ h-BN的增加，紙基復合材料的體積電阻率逐漸增加。方面，由于h-BN具有高電阻率，因此通常可以達到1015Ω·m。BN增強了紙基復合材料的體積電阻率，而AF和PDA @ h-BN之間的相界面阻止了二元紙基復合材料中的電荷傳輸[24]。10顯示了芳綸紙和紙基復合材料的熱導率。圖10所示，芳綸紙的熱導率僅為0.12 W /（m·K），低于塑料和樹脂等普通聚合物的熱導率[ 25]。主要是由于芳族聚酰胺基紙中的大量孔和空氣的熱導率僅為0.02 W /（m·K）。著PDA @ h-BN含量的增加，紙基復合材料的熱導率正在上升。PDA @ h-BN的含量為15％時，紙基復合材料的導熱系數(shù)為0.33 W /（m·K），增長率為175％。熱性能的顯著改善主要歸因于以下事實：紙張內部的孔被PDA @ h-BN填充，這使得用PDA @ h-BN代替低熱導率的空氣成為可能。
　　BN，稱為PDA。h-BN可以提高紙張的熱導率。一方面，由于PDA @ h-BN顆粒的粒徑僅為1-2μm，所以幾乎所有的紙孔都可以被填充，從而形成PDA @ h-BN顆粒。張內部有大量導熱鏈。一步提高了復合紙基材料的導熱性。用氧化多巴胺自聚合（DA）改性具有出色的導熱性和隔離性能的六方氮化硼（h-BN），以生產具有芳族聚酰胺纖溶體的PDA @ h-BN（ AF）作為矩陣。過真空輔助真空過濾制備了基于AF-PDA @ h-BN二元紙的復合材料。X射線能譜分析，拉曼光譜和紅外光譜分析表明，h-BN已被DA成功修飾，酚羥基已被引入到表面光滑。h-BN，改善了h-BN與AF之間的界面。元紙復合材料的掃描電子顯微鏡（SEM）圖像顯示PDA @ h-BN與FA密切相關。復合材料具有優(yōu)良的絕緣性能，這主要是由于h-BN的優(yōu)良絕緣性能?；鶑秃喜牧系膶嵯禂?shù)也從0.12 W /（m·K）顯著提高到0.33 W /（m·K），增加了175％。
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