絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是近幾十年來出現(xiàn)的新器件，旨在推動電力電子技術(shù)的發(fā)展。是改善性能和節(jié)能指標(biāo)的整個系統(tǒng)的首選。結(jié)合了高頻，高壓和大電流的優(yōu)點(diǎn)，是電力電子技術(shù)第三次革命中最具代表性的產(chǎn)品。文重點(diǎn)介紹其結(jié)構(gòu)，電纜工作機(jī)理，靜態(tài)特性，動態(tài)特性和主要參數(shù)，并在2000年初就成功開發(fā)了用于此類器件的基本IGBT。1980年代，經(jīng)過數(shù)年的不斷改進(jìn)，在高頻和大功率領(lǐng)域中已經(jīng)成熟。
　　此，本文還介紹了IGBT的國內(nèi)外發(fā)展情況，詳細(xì)介紹了IGBT的重要特性及其基本應(yīng)用技術(shù)，并列舉了一些應(yīng)用于該器件的基本電路。用電器，電焊機(jī)，電動機(jī)等絕緣柵雙極型晶體管是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，具有以下特性：功率場效應(yīng)晶體，高輸入阻抗和管速，飽和電壓雙極型晶體管達(dá)靈頓高，大電流和高背壓。征[2]。設(shè)備于1982年由RCA和GE在美國成功生產(chǎn)，并在1980年代后期由于美國IR，SGS和飛利浦，東芝，富士電機(jī)和日立公司的改進(jìn)而商業(yè)化。

　　那時起，其應(yīng)用技術(shù)變得越來越成熟，并在電力電子技術(shù)中發(fā)揮了重要作用。于功率MOSFET，它與功率MOSFET的不同之處在于，它具有一個額外的p 發(fā)射極區(qū)域，從該區(qū)域中可以去除IGBT的漏極（或集電極），因此IGBT優(yōu)于MOSFET。PN結(jié)。
　　IGBT的柵極和源極與功率MOSFET的柵極和源極相同。
　　IGBT的結(jié)構(gòu)可以得到等效電路，電纜因?yàn)榉菍ΨQIGBT增加的N 區(qū)靠近N區(qū)，它是N區(qū)，但是雜質(zhì)濃度不同，因此兩種不同類型的IGBT的等效電路相同。們都由三個結(jié)組成，半導(dǎo)體類型的級別相同。于IGBT是一種以MOSFET為驅(qū)動組件，雙極晶體管為主要組件的復(fù)合器件，因此其導(dǎo)通和關(guān)斷不可避免地與MOSFET的導(dǎo)通和關(guān)斷相同，后者由柵極電壓控制。將正電壓施加到柵極時，在MOSFET中形成溝道，并將基極電流提供給雙極晶體管，從而激活I(lǐng)GBT晶體管。N漂移區(qū)的RMOD電阻。耐壓IGBT也具有低直流電壓特性。
　　向IGBT柵極施加負(fù)電壓時，MOSFET通道消失，PNP晶體管被禁用，而IGBT被禁用。以看出，IGBT的驅(qū)動原理與MOSFET的驅(qū)動原理基本相同。于等效雙極晶體管是IGBT的主要組件，因此IGBT具有很大的電流傳輸能力。IGBT的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)非常相似，不同之處在于前者使用p 作為襯底，然后在頂部形成n 漂移層n，根據(jù)相似的過程在漂移層上制造功率。
　　IGBT可以通過非常高的輸入阻抗和很高的直接傳導(dǎo)電流密度進(jìn)行電壓控制。外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)IGBT的導(dǎo)通狀態(tài)壓降隨著溫度的升高而增加，這使得器件可以并聯(lián)連接并且在每個器件中具有良好的電流分布。置。IGBT于1980年代初成功開發(fā)，并且多年來在性能方面不斷提高。已被應(yīng)用于高頻和大功率領(lǐng)域。結(jié)合了MOSFET電壓控制，低控制功率，易于并聯(lián)，高開關(guān)速度和高電流密度，高電流管理能力以及低晶體管飽和電壓特性。
　　極。晶體管具有高電流密度，高電流處理能力，高電流，高頻率和其他更高的性能[1-4]。IGBT主要用于逆變器，低噪聲電源，不間斷UPS電源和電機(jī)頻率控制。IBGT的應(yīng)用范圍很廣，從變頻空調(diào)到靜音冰箱，洗衣機(jī)，電磁爐和微波爐。于機(jī)車的電力牽引系統(tǒng)來說太大了密不可分。IGBT還廣泛用于機(jī)載跟蹤系統(tǒng)，航母，雷達(dá)和其他軍事系統(tǒng)。前，國家IGBT產(chǎn)品依賴進(jìn)口。IGBT國外產(chǎn)品已量產(chǎn)。
　　家IGBT仍處于發(fā)展階段。國外相比，IGBT制造技術(shù)至少比計(jì)劃落后十年，并且IGBT的位置非常緊迫。此，IBGT研究的發(fā)展對中國國民經(jīng)濟(jì)和國防工業(yè)的發(fā)展具有重要意義[5]。
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