各規(guī)格·各型號電纜
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品質(zhì)決定未來
高純度銅
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為了增加電源的密度,必須采用增加雙極晶體管的吸收電路的頻率的手段。了確保電容器安全,開關(guān)設(shè)備在電容器電源中的安全性是重要的問題。保使用由串聯(lián)諧振型電容器構(gòu)成的電容器,并基于其充電電源。
文研究影響IGBT的因素和峰值電壓值。文首先介紹簡單產(chǎn)生峰值電壓的機(jī)制,然后簡要介紹幾種消除峰值電壓的方法,然后簡要介紹吸收電路,最后介紹電路的基本工作原理。收。
變器電路中出現(xiàn)峰值電壓的主要原因有兩個:一個是存在一定的寄生電感Ls,另一個是主電路中的電流快速變化。高頻電源中,經(jīng)常需要提高開關(guān)的接通速度,并且IGBT的接通速度與電流變化的速度具有良好的關(guān)系。此,為了確保電路的正常工作,從初步分析可以知道,必須使寄生電感最小,并且必須使用吸收電路的作用來降低電路的峰值電壓。IGBT并盡可能消除峰值電壓。
了有效地減小主電路中的寄生電感,可以使用兩種方法。先是使用同軸電纜,但是電感必須低。

一種方法是通過堆疊在一起的正極和負(fù)極母線連接電路。我們了解,相同大小的并聯(lián)電流流經(jīng)兩條平行導(dǎo)線,當(dāng)它們閉合時,此時會產(chǎn)生磁場,但兩者的磁場可能會抵消。樣,理論上電感為零。
路中流過的電流非常大,激活速度較快的特性通常是某些大型負(fù)載電源的特性。于主電路中存在寄生電感,因此會感應(yīng)出峰值電壓。了抑制大的電壓峰值,必須使用外部吸收電路的相應(yīng)功能來達(dá)到該峰值,因此我們有三種形式的主電路。先是在正負(fù)極增加一個電容器,這種方法非常適用于低功耗和低成本的逆變器。
方法通常可以滿足峰值電壓抑制的要求。是電阻不能消耗能量,這是一個缺點。
外,
電纜對于一些大功率逆變器,電路中通常存在較大的寄生電感,該振蕩電路將由于寄生電感和吸收電容器而大大增加損耗。二種吸收電路增加了一個快速恢復(fù)二極管,并基于第一種吸收電路。于前者,能量吸收電容器,其作用是消耗能量。
者是為了防止振蕩,這是由環(huán)路中電容和電感的相互作用引起的。電路更好地解決了第一電路的故障,并更好地控制了峰值電壓和振蕩電路的問題。個功率管使用同一套設(shè)備,從而大大降低了成本。而,這也具有缺點,例如使吸收電容器的放電周期減半。三種吸收電路是最好的:它是經(jīng)過重新改進(jìn)后的形式,并且是基于前兩個電路的改進(jìn)的吸收電路。于每個單獨的開關(guān),使用單獨的電路。

于某些現(xiàn)場電路,特別是對于高頻和大功率電路,第三種吸收電路比第二種吸收電路更合適,因為吸收電容器會大大增加放電時間。
主要由電阻,二極管和電容器組成。了降低開關(guān)管上的電壓應(yīng)力以及EMI,使其在適當(dāng)?shù)姆秶鷥?nèi)工作,并且不會發(fā)生二次故障,吸收電路通常與開關(guān)管并聯(lián)連接或二極管(包括整流二極管)。常,對于電力電子設(shè)備,其中的電力電子設(shè)備僅在切換狀態(tài)下工作,并且也連續(xù)地而不是瞬時地進(jìn)行設(shè)備的接通和斷開。打開設(shè)備時,如果設(shè)備電流在啟動時迅速增加,則點火損耗將非常大,這是由于設(shè)備的等效阻抗較高引起的;當(dāng)設(shè)備幾乎完全中斷時,設(shè)備始終具有高電流。果設(shè)備此時可以承受的電壓容量迅速增加,則肯定會導(dǎo)致明顯的切割損耗。關(guān)損耗不僅會增加或破壞設(shè)備的溫度,甚至?xí)?dǎo)致功率晶體管的二次故障。了抑制器件電流的上升速度,可以通過電感電流不能突然變化的特性來控制。容器電壓具有不能突然改變的特性,并且該特性可用于抑制設(shè)備電壓的上升速度。則。GTO是一個簡單的阻尼電路。

了確保在關(guān)閉GTO時,電路中端子dV / dt,電容器C和二極管D上的電壓上升速率會形成吸收電路關(guān)閉。路中電阻器的目的是為電容器C提供放電路徑。了確保不同的設(shè)備和不同的電路具有相應(yīng)的方法,緩沖電路的形式很多。高頻大功率電容器的負(fù)載電源中,由于存在峰值電壓,因此,如果不限制峰值電壓,則會損壞開關(guān)器件,因此需要增加吸收電路。

路參數(shù)的選擇也是一個非常重要的方面,必須考慮許多因素:為了確保它適合沖擊功率的影響,電阻功率的選擇也要考慮在內(nèi)。選擇嚴(yán)格和適當(dāng)?shù)膮?shù);另外,還有一個非常重要的參數(shù)是電阻功率損耗和峰值電壓,這是電路中二極管的激活時間,因此必須考慮這一因素。
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