本文介紹了真空滅弧室中固態(tài)密封極技術(shù)的發(fā)展。使用電場(chǎng)分析和固體電介質(zhì)擊穿理論，分析說，當(dāng)密封的實(shí)心極的外部絕緣層似乎被膠粘或混合時(shí)，開口部分的電場(chǎng)強(qiáng)度將達(dá)到重要的。強(qiáng)的導(dǎo)電雜質(zhì)將減小絕緣層的厚度，并且容易導(dǎo)致絕緣在固態(tài)下破裂。心密封柱將真空滅弧室與其他導(dǎo)電部件和外部環(huán)境完全隔離，并提高了開關(guān)的外部絕緣力，避免了外部力和外部環(huán)境對(duì)開關(guān)的影響。關(guān)和其他導(dǎo)電部件。

　　
　　封的實(shí)心極桿大大簡(jiǎn)化了開關(guān)的組裝過程，并減少了組裝過程中出現(xiàn)錯(cuò)誤的可能性[1]?？諟缁∈业膬?nèi)部是真空絕緣的，其可靠性很高。
　　部絕緣層位于固體密封層上，當(dāng)固體密封層打開時(shí)，外部絕緣層失效很容易損壞固體密封柱。此，硅橡膠層和環(huán)氧樹脂層的質(zhì)量決定了固體密封柱的外部絕緣性能?？諟缁∈业拿芊鈱?shí)心電極屬于典型的多電介質(zhì)系統(tǒng)：滅弧室內(nèi)部的真空部分，滅弧室的絕緣（陶瓷）外殼，硅橡膠層和絕緣層。氧樹脂層。不考慮滅弧室兩端的金屬部件時(shí)，每個(gè)界面處只有兩種類型的介質(zhì)，只有兩種介質(zhì)的界面與分析了均勻電場(chǎng)下的等電位平面和與等電位平面的斜交點(diǎn)[2]。（1-1）和（1-2）表明，在隔離距離d = d1 d2保持不變的情況下，E2增大時(shí)減小，但增大E1。
　　E2減少時(shí)增加，但E1減少。電介質(zhì)界面和等電位平面被斜切時(shí)，電位移矢量和界面之間的角度不是90°C，因此在第二介質(zhì)中會(huì)發(fā)生折射，因?yàn)槿鐖D2所示。式（1-3）表明，當(dāng)α1恒定時(shí)，ε1和ε2確定α2，而當(dāng)ε2增加時(shí)En2減??；當(dāng)ε2減小時(shí)，En2增加。果類似于式（1-1）和（1-2）的結(jié)果。就是說，介質(zhì)中的電場(chǎng)強(qiáng)度與介質(zhì)的介電常數(shù)緊密相關(guān)，并且成反比，當(dāng)ε2增大時(shí)E2減小，而當(dāng)ε2減小時(shí)E2增大。牢固密封的電極良好粘合時(shí)，電纜只有三個(gè)介電層和兩個(gè)界面，即瓷殼層和硅橡膠層，以及硅橡膠層和環(huán)氧樹脂層。過查詢介電常數(shù)參考表，氧化鋁陶瓷的介電常數(shù)為：3.1-3.9，硅橡膠的介電常數(shù)為：3.2-9.8，環(huán)氧樹脂的介電常數(shù)為：3.6。
　　們可以看到，三種介質(zhì)的介電常數(shù)基本上在一個(gè)數(shù)范圍內(nèi)，即三種介質(zhì)的電場(chǎng)強(qiáng)度基本相等，并且沒有突然變化?？?。

　　橡膠層和環(huán)氧樹脂層等效于增加真空滅弧室的瓷殼的厚度并減小滅弧室外部的電場(chǎng)強(qiáng)度。
　　果，使用固體密封極技術(shù)可以使真空斷路器小型化并提高絕緣的可靠性。實(shí)心桿密封不良時(shí)，相當(dāng)于在原始的三層介質(zhì)中添加了新的介質(zhì)層。質(zhì)的成分是包含雜質(zhì)的空氣，其介電常數(shù)為1。句話說，空氣中的電場(chǎng)強(qiáng)度等于3.5倍的空氣層中電場(chǎng)強(qiáng)度的3.5倍。
　　始固體密封。且，由于空氣的擊穿電壓遠(yuǎn)低于環(huán)氧樹脂和硅橡膠的擊穿電壓，因此在以下情況下不會(huì)發(fā)生外部絕緣材料分解的電場(chǎng)強(qiáng)度值實(shí)心密封柱之間的粘接牢固，也可以粘在實(shí)心密封柱上。
　　連接不良時(shí)，外部絕緣層會(huì)破裂并破壞接線柱。
　　密封的實(shí)心極的硅橡膠層或環(huán)氧樹脂層包含雜質(zhì)時(shí)，在兩種情況下可以設(shè)想電場(chǎng)變化，雜質(zhì)是導(dǎo)體，而雜質(zhì)是絕緣體。雜質(zhì)是導(dǎo)體時(shí)，可以認(rèn)為硅橡膠層和環(huán)氧樹脂層的介電常數(shù)是無限大的。增加ε2時(shí)E2減小，但是增加E1，等效于E2 =0。以理解，絕緣層的厚度減小了，這導(dǎo)致外部絕緣破裂。雜質(zhì)是絕緣體時(shí)，情況更加復(fù)雜。雜質(zhì)的介電常數(shù)與絕緣層的介電常數(shù)非常不同時(shí)，它將在界面處引起電場(chǎng)強(qiáng)度的大變化，這很可能導(dǎo)致外部絕緣的破裂。雜質(zhì)為脫氣氣體時(shí)，在電場(chǎng)的作用下還會(huì)發(fā)生其他局部放電，這將損壞外部絕緣層。
　　嚴(yán)重影響了密封柱的絕緣性能。文通過分析真空滅弧室在不同條件下的固體密封外部絕緣層的電場(chǎng)分布，得出結(jié)論：固體密封極的外部絕緣層與絕緣層的絕緣不良。

　　質(zhì)的混入會(huì)大大增加打開位置的電場(chǎng)強(qiáng)度，導(dǎo)電雜質(zhì)會(huì)減小絕緣層的厚度，并導(dǎo)致固體密封柱的外部絕緣層下降并導(dǎo)致故障。

　　
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